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AOD4xx Series TO-252 (D-PAK) Top

标准包装2,500

FET 型MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点Standard

漏极至源极电压(VDSS)30V

电流-连续漏极(编号)@ 25°C70A

Rds(最大)@ ID,VGS6 mOhm @ 20A, 20V

VGS(TH)(最大)@ Id3.5V @ 250μA

栅极电荷(Qg)@ VGS120nC @ 10V

输入电容(Ciss)@ Vds的5300pF @ 15V

功率 - 最大100W

安装类型Surface Mount

包/盒TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装TO-252, (D-Pak)

包装材料Tape & Reel (TR)

动态目录P-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-standard-fets/16576?mpart=AOD403&vendor=785&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;

最大门源电压±25

安装Surface Mount

包装宽度6.1

PCB2

最大功率耗散90000

最大漏源电压30

欧盟RoHS指令Compliant

最大漏源电阻6.2@20V

每个芯片的元件数1

最低工作温度-55

供应商封装形式DPAK

标准包装名称DPAK

最高工作温度175

渠道类型P

包装长度6.6

引脚数3

通道模式Enhancement

包装高度2.3

最大连续漏极电流70

标签Tab

铅形状Gull-wing

FET特点Standard

封装Tape & Reel (TR)

安装类型Surface Mount

电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C70A (Tc)

的Vgs(th ) (最大)@ Id3.5V @ 250μA

供应商设备封装TO-252, (D-Pak)

其他名称785-1101-2

开态Rds(最大)@ Id ,V GS6 mOhm @ 20A, 20V

FET型MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大100W

标准包装2,500

漏极至源极电压(Vdss)30V

输入电容(Ciss ) @ VDS5300pF @ 15V

闸电荷(Qg ) @ VGS120nC @ 10V

封装/外壳TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RoHS指令Lead free / RoHS Compliant


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